X射線存儲材料Si4+摻雜BaFBr:Eu2+中電子陷阱的研究

在BaFBr:Eu2+中摻入Si4+合成了一種新的X射線影像板材料,其主要光激勵發光(PSL)性能,如射線敏感度和長波可激發性都優于低價陽離子摻雜的BaFBr∶Eu2+.用喇曼和順磁共振(EPR)等手段表征了摻Si4+后BaFBr∶Eu2+中電子陷阱的結構,并根據此結構解釋了其激發波長的紅移量比其它低價陽離子摻雜都高的原因.

作 者： 鄭震 熊光楠 余華 張麗平 馬宇平 程士明 嚴曉敏   作者單位： 鄭震,熊光楠,張麗平,馬宇平(天津理工大學材料物理研究所,天津,300191)

余華(南開大學物理學院,天津,300071)

程士明,嚴曉敏(復旦大學分析測試中心,上海,200433) 

刊 名： 光電子·激光  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF OPTOELECTRONICS·LASER  年，卷(期)： 2004 15(1)  分類號： O482.3  關鍵詞： BaFBr:Eu2+   Si4+   電子陷阱   紅移   光激勵發光(PSL)   BaFBr∶Eu2+   Si4+   electron traps   red shift   photo stimulated luminescence(PSL)  

【X射線存儲材料Si4+摻雜BaFBr:Eu2+中電子陷阱的研究】相關文章：

名人故事：倫琴發現X射線的故事10-23

法庭辯論中的常見陷阱02-26

就業過程中的常見陷阱04-07

表揚，別摻雜音_1000字05-01

安全教育教案：浴室中的陷阱12-01

什么是存儲介質01-26

什么是存儲容量11-18

射線和角教學設計04-25

射線、直線和角教案04-25

陷阱的故事03-27