納米硅(nc-Si:H )/晶體硅(c-Si)異質結太陽電池的數值模擬分析

運用美國賓州大學發展的AMPS程序模擬分析了n-型納米硅(n+-nc-Si:H)/p-型晶體硅(p-c-Si)異質結太陽電池的光伏特性.分析表明,界面缺陷態是決定電池性能的關鍵因素,顯著影響電池的開路電壓(VOC)和填充因子(FF),而電池的光譜響應或短路電流密度(JSC)對緩沖層的厚度較為敏感.對不同能帶補償(bandgap offset)的情況所進行的模擬分析表明,隨著ΔEc的增大,由于界面態所帶來的開路電壓和填充因子的減小逐漸被消除,當ΔEc達到0.5eV左右時界面態的影響幾乎完全被掩蓋.界面層的其他能帶結構特征對器件性能的影響還有待進一步研究.最后計算得到了這種電池理想情況下(無界面態、有背面場、正背面反射率分別為0和1)的理論極限效率ηmax=31.17% (AM1.5,100mW/cm2,0.40-1.10μm波段).

作 者： 胡志華 廖顯伯 曾湘波 徐艷月 張世斌 刁宏偉 孔光臨   作者單位： 胡志華(中國科學院半導體研究所,凝聚態物理中心,表面物理國家重點實驗室,北京,100083;云南師范大學太陽能研究所,昆明,650092)

廖顯伯,曾湘波,徐艷月,張世斌,刁宏偉,孔光臨(中國科學院半導體研究所,凝聚態物理中心,表面物理國家重點實驗室,北京,100083) 

刊 名： 物理學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2003 52(1)  分類號： O4  關鍵詞： nc-Si:H/c-Si異質結   太陽電池   計算機模擬  

【納米硅(nc-Si:H )/晶體硅(c-Si)異質結太陽電池的數值模擬分】相關文章：

硅納米管電極電池04-26

含納米硅和納米鍺的氧化硅薄膜光致發光的比較研究?04-27

納米硅鑲嵌復合薄膜退火前后的微結構及發光特性研究04-26

低鏡面反射納米硅鍍膜玻璃制備及拉曼光譜表征04-26

晶體硅太陽能電池生產的生產污水處理工藝04-26

硅灰改性水泥固化含U(Ⅵ)模擬有機廢液試驗04-27

納米聚硅氯化鋁復合絮凝劑的制備、表征與應用研究04-25

n型硅微尖場發射電子能譜的模擬計算04-26

淺談硅灰對混凝土性能的影響論文11-27

外源硅對土壤鎘吸附特性的影響04-25