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基于邊界掃描技術(shù)和Tcl語(yǔ)言的DualSRAM測(cè)試設(shè)計(jì)
集成電路(IC)的迅猛發(fā)展促進(jìn)了測(cè)試技術(shù)的研究和發(fā)展,支持IEEE1149.1標(biāo)準(zhǔn)的邊界掃描芯片的廣泛應(yīng)用,使得邊界掃描測(cè)試技術(shù)日益被重視.Tcl語(yǔ)言是一種簡(jiǎn)明、高效、移植性強(qiáng)的語(yǔ)言,它與邊界掃描技術(shù)的結(jié)合,擴(kuò)展了芯片測(cè)試技術(shù)的應(yīng)用,使得IC的測(cè)試更加靈活.本文以DualSRAM的測(cè)試設(shè)計(jì)為例,介紹了以邊界掃描技術(shù)為基礎(chǔ)的Tcl語(yǔ)言的應(yīng)用,同時(shí)根據(jù)測(cè)試開發(fā)中遇到的問(wèn)題,提出了一些可測(cè)性設(shè)計(jì)(DFT)的建議.
作 者： 王鳳馳 胡丙華 Wang Fengchi Hu Binghua 作者單位： 中國(guó)電子科技集團(tuán)電子第三十八研究所,安徽合肥,230031 刊 名： 電子測(cè)試 英文刊名： ELECTRONIC TEST 年，卷(期)： 2009 ""(6) 分類號(hào)： PT312 關(guān)鍵詞： 邊界掃描 Tcl語(yǔ)言 DualSRAM測(cè)試 DFT【基于邊界掃描技術(shù)和Tcl語(yǔ)言的DualSRAM測(cè)試設(shè)計(jì)】相關(guān)文章：
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