非摻雜GaN的黃光發(fā)射模型確定

提出了一種新的光譜——吸收歸一化光致發(fā)光激發(fā)譜,并用這種光譜研究了非摻雜GaN的黃光發(fā)射.實(shí)驗(yàn)上首次直接測(cè)量出了黃光發(fā)射的初始態(tài)的共振吸收峰位,從而解決了長(zhǎng)期爭(zhēng)論的有關(guān)黃光發(fā)射的發(fā)光模型問(wèn)題.

作 者： 賴天樹 林位株 莫黨   作者單位： 中山大學(xué)超快速激光光譜學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,物理系,廣州,510275  刊 名： 物理學(xué)報(bào)  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2002 51(5)  分類號(hào)： O4  關(guān)鍵詞： GaN薄膜   黃光發(fā)射   吸收歸一化光致發(fā)光激發(fā)譜  

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