GaAs與InP半導體光導開關特性實驗研究

利用Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)及其摻雜材料制作的光導開關具有很好的時間響應及高功率輸出特性.比較了這兩種材料制作的不同電極間隙類型的光導開關的開關時間響應速度、導通光能與飽和觸發激光能量、線性與非線性工作模式及觸發穩定性等特性.結果表明,利用InP和GaAs兩種材料制作的光導開關都具有達到皮秒級的超快時間響應,其對時間最佳響應與偏置電場有關.兩種開關的多次觸發時間抖動在幾個皮秒范圍,輸出電壓峰峰值抖動優于10%.GaAs開關的非線性工作電場閾值比InP開關低,更容易實現非線性輸出.

作 者： 阮馳 趙衛 陳國夫 朱少嵐 楊宏春 阮成禮 RUAN Chi ZHAO Wei CHEN Guo-fu ZHU Shao-lan YANG Hong-chun RUAN Cheng-li   作者單位： 阮馳,趙衛,陳國夫,朱少嵐,RUAN Chi,ZHAO Wei,CHEN Guo-fu,ZHU Shao-lan(中國科學院西安光學精密機械研究所,瞬態光學與光子技術國家重點實驗室,西安,710119)

楊宏春,阮成禮,YANG Hong-chun,RUAN Cheng-li(電子科技大學,物理電子學院,成都,610054) 

刊 名： 光子學報  ISTIC PKU 英文刊名： ACTA PHOTONICA SINICA  年，卷(期)： 2007 36(3)  分類號： O472  關鍵詞： 光導開關   砷化鎵   磷化銦   化合物半導體  

【GaAs與InP半導體光導開關特性實驗研究】相關文章：

紅外InGaAs/InP單光子探測器的溫度特性研究04-26

瓦斯對煤塵爆炸特性影響的實驗研究04-25

銅納米線的制備及其光限幅特性研究04-26

Gurney襟翼對翼型氣動特性影響的實驗研究04-26

同向旋轉盤間換熱特性的實驗研究04-27

脈沖微波生物效應實驗輻射場特性研究04-26

城市街道超細顆粒物特性的實驗研究04-25

不同燃料汽車排放超細微粒特性的實驗研究04-25

污泥顆粒與河砂混合流化特性的實驗研究04-25

無煙煤對甲烷等溫吸附解吸特性實驗研究04-26