硅、鍺材料在Si(100)表面的生長研究

利用掃描隧道顯微鏡和超高真空實驗裝置系統進行了Si(100)表面生長Si,Ge的實驗研究.分析了所生成表面的形貌、結構等物理性質.研究表明:Si在Si(100)表面的同質生長可以形成納米結構薄膜.Ge在Si(100)表面生長形成規則的三維小島.而在Si/Ge/Si(100)多層膜上生長則形成大小二種三維島.研究表明大島具有Ge/Si/Ge的殼層結構.

作 者： 汪雷 唐景昌 楊德仁 王學森 胡艷芳   作者單位： 汪雷,唐景昌,楊德仁(浙江大學硅材料國家重點實驗室,浙江大學物理系,杭州,310027)

王學森,胡艷芳(香港科技大學物理系,香港九龍清水灣,復旦大學物理系,上海,200433) 

刊 名： 真空科學與技術學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2002 22(2)  分類號： O484.1 O472+.1  關鍵詞： 鍺   硅   掃描隧道顯微鏡  

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